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G70P02K	文件：832.15 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G70P02；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G70P02K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：832.15 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G70P02K	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
HM70P02D	文件：601.4 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：601.4 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
UT70P02	文件：257.42 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：257.42 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS(min)：
-15V
Id at 25℃(max)：
-70A
PD(max)：
70W
Vgs(th)typ(V)：
-0.6V
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
5mΩ
Qg(nC)：
55
Ciss：
3500
Crss：
445

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多G70P02K供应商更新时间2025-10-12 11:06:00

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