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UT70P02	文件：257.42 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：257.42 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT70P02	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET The UT70P02 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. • RDS(ON) = 6mΩ @VGS = -10 V\n• Low gate charge\n• Avalanche energy specified;	UTC 友顺	UTC
UT70P02L-TN3-R	文件：257.42 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：257.42 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UT70P02L-TN3-T	文件：257.42 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：257.42 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
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