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G3R40MT12K

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES · Drain Current -ID= 40A@ TC=100℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =52mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · High Voltage DC-DC Converters · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Switched Mode Power Supplies

文件:948.91 Kbytes 页数:5 Pages

ISC

无锡固电

G3R40MT12K

Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode

文件:1.12216 Mbytes 页数:14 Pages

GENESIC

G3R40MT12K

SiC MOSFET

Navitas

纳微半导体

G3R40MT12-CAL

Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode

文件:827.36 Kbytes 页数:11 Pages

GENESIC

G3R40MT12D

Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode

文件:1.18517 Mbytes 页数:14 Pages

GENESIC

G3R40MT12J

Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode

文件:1.3528 Mbytes 页数:14 Pages

GENESIC

技术参数

  • On Resistance:

    40

  • ID [25C](A):

    55

  • Package:

    TO-247-4

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Navitas(纳微)
26+
TO-247-4
31614
Navitas(纳微)原装碳化硅场效应管(MOSFET)G3R40MT12K即刻询购立享优惠
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更多G3R40MT12K供应商 更新时间2026-10-21 14:14:00