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G3R40MT12D	文件：1.18517 Mbytes Page：14 Pages	Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：1.18517 Mbytes 页数：14 Pages	GENESIC	GENESIC
G3R40MT12D	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC MOSFET	Navitas 纳微半导体	Navitas
G3R40MT12J	文件：1.3528 Mbytes Page：14 Pages	Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：1.3528 Mbytes 页数：14 Pages	GENESIC	GENESIC
G3R40MT12K	文件：948.91 Kbytes Page：5 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES · Drain Current -ID= 40A@ TC=100℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =52mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · High Voltage DC-DC Converters · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Switched Mode Power Supplies 文件：948.91 Kbytes 页数：5 Pages	ISC 无锡固电	ISC
G3R40MT12K	文件：1.12216 Mbytes Page：14 Pages	Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：1.12216 Mbytes 页数：14 Pages	GENESIC	GENESIC

技术参数

On Resistance：
40
ID [25C](A)：
63
Package：
TO-247-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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现代芯城（深圳）科技有限公司	G3R40MT12D		24+	N/A	56000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司	G3R40MT12D	GeneSiC Semiconductor	24+	DO/TO	986	碳化硅二极管原厂正品全系列现货	询价
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深圳庞田科技有限公司	G3RD-101PN-12V	OMRON	2023+环保现货	专业继电器	6800	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
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更多G3R40MT12D供应商更新时间2025-10-11 16:01:00

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