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G3401L	文件：803.56 Kbytes Page：6 Pages	丝印：3401；Package：SOT-23-3L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G3401L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：803.56 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G3401L	文件：1.6707 Mbytes Page：6 Pages	丝印：3401；Package：SOT-23-3；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.6707 Mbytes 页数：6 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
G3401L	文件：1.6707 Mbytes Page：6 Pages	丝印：3401；Package：SOT-23-3；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.6707 Mbytes 页数：6 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
G3401L	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Package：
SOT-23-3
Type：
P
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
-30
Vgs(V)：
±12
Id(A)：
-4.4
Pd(W)：
1.3
Vgs(th)max(V)：
-1.3
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
42
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
50
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=2.5V：
67
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
55
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
65
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=2.5V：
90
Qg(nC)：
9.3
Qgs(nC)：
2
Qgd(nC)：
2.9
Ciss(pF)：
652
Crss(pF)：
66
Technology：
TRENCH

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