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AZ1117CR-3.3TRG1	文件：839.11 Kbytes Page：23 Pages	丝印：G28N；Package：SOT89；LOW DROPOUT LINEAR REGULATOR 文件：839.11 Kbytes 页数：23 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
G28N02T	文件：795.24 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G28N02；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G28N02T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ⚫ Power switch ⚫ DC/DC converters 文件：795.24 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G28N03D3	文件：713.01 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G28N03；Package：DFN3X3-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G28N03D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：713.01 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G28N02T	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G28N03D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

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更多G28N供应商更新时间2025-12-26 8:12:00