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G26P04K	文件：657.17 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G26P04；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G26P04K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：657.17 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G26P04K	文件：300 bytes Page：1 Pages	-40V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G2996F1U	文件：0 bytes Page：0 Pages		0 上传：深圳市科雨电子有限公司	0
G2R-1-24V	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	OMRON 欧姆龙上传：上海德懿电子科技有限公司	OMRON
G2R-1-DC24V	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	OMRON 欧姆龙上传：上海德懿电子科技有限公司销售二部	OMRON

技术参数

Package：
TO-252
Type：
P
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
-40
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
-26
Pd(W)：
50
Vgs(th)max(V)：
-2.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
13
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
17
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
18
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
22
Qg(nC)：
42
Qgs(nC)：
7
Qgd(nC)：
9.5
Ciss(pF)：
2849
Crss(pF)：
203
Technology：
TRENCH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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