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G26P04D5	文件：1.15375 Mbytes Page：6 Pages	丝印：G26P04；Package：DFN5/6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G26P04D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ⚫ Power switch ⚫ DC/DC converters 文件：1.15375 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G26P04D5	文件：300 bytes Page：1 Pages	-40V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G2996F1U	文件：0 bytes Page：0 Pages		0 上传：深圳市科雨电子有限公司	0
G2R-1-24V	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	OMRON 欧姆龙上传：上海德懿电子科技有限公司	OMRON
G2R-1-DC24V	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	OMRON 欧姆龙上传：上海德懿电子科技有限公司销售二部	OMRON

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS(min)：
-40V
Id at 25℃(max)：
-26A
PD(max)：
50W
Vgs(th)typ(V)：
-1.5V
RDS(on)(typ)(@10V)：
15mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
18mΩ
Qg(nC)：
45
Ciss：
2479
Crss：
204

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更多G26P04D5供应商更新时间2025-12-12 11:06:00

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