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G230P06D5	文件：961.58 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G230P06；Package：DFN5X6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G230P06D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：961.58 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G230P06D5	文件：300 bytes Page：1 Pages	-60V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G2401CE	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP24	MNC 铭普光磁上传：深圳市喜鹊微科技有限公司	MNC
G2401CE	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP24	MNC 铭普光磁上传：深圳市喜鹊微科技有限公司	MNC
G2401CE/SMD	文件：0 bytes Page：0 Pages		0 上传：深圳市科雨电子有限公司	0

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS：
-60V
Id at 25℃(max)：
-48A
PD(max)：
105W
Vgs(th)typ(V)：
-2.4V
RDS(on)(typ)(@10V)：
18mΩ
Qg(nC)：
62
Ciss：
5002
Crss：
277

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多G230P06D5供应商更新时间2025-11-30 11:06:00

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