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G2309	文件：376.81 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS-30V RDS(ON)75m ID-3.7A Description TheG2309providethedesignerwithbestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheG2309isuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplic	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
G230P06D5	文件：961.58 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G230P06；Package：DFN5X6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG230P06D5usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G230P06F	文件：641.54 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G230P06；Package：TO-220F；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG230P06Fusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G230P06K	文件：624.27 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G230P06；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG230P06Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G230P06KA	文件：918.05 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G230P06；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG230P06KAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G230P06M	文件：1.02221 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G230P06；Package：TO-263；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG230P06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G230P06S	文件：953.81 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G230P06；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG230P06Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G230P06T	文件：918.32 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G230P06；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG230P06Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2300	文件：326.54 Kbytes Page：4 Pages	N - C H A N N E L E N H A N C E M E N T M O D E P O W E R M O S F E T	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
G2301	文件：391.79 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM

详细参数

型号：
G230
制造商：
GTM
制造商全称：
GTM
功能描述：
CMOS Positive Voltage Regulator

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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