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G20N03K	文件：514.49 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G20N03；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G20N03K uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application  Power switch DC/DC converters 文件：514.49 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G20N03K	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GE20N03	文件：296.14 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：296.14 Kbytes 页数：5 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
GE20N03	文件：299.9 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：299.9 Kbytes 页数：5 Pages	ETL 亚历电子	ETL
GI20N03	文件：241.03 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：241.03 Kbytes 页数：5 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(min)：
30V
Id at 25℃(max)：
30A
PD(max)：
33W
Vgs(th)typ(V)：
1.5V
RDS(on)(typ)(@10V)：
12mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
17mΩ
Qg(nC)：
18
Ciss：
923
Crss：
94

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	G20N03K		24+	N/A	51000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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更多G20N03K供应商更新时间2025-10-8 11:06:00

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