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G20N03D2

丝印:G20N03;Package:DFN2X2-6L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G20N03D2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ⚫ Power switch ⚫ DC/DC converters

文件:727.85 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

G20N03D2

30V N Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

G2129TL1U

GMT
SOT23-6

GMT

致新科技

上传:深圳市赛尔通科技有限公司

G2401CE

MNC
SOP24

MNC

铭普光磁

上传:深圳市喜鹊微科技有限公司

G2401CE

MNC
SOP24

MNC

铭普光磁

上传:深圳市喜鹊微科技有限公司

技术参数

  • Configuration:

    N channel

  • ESD:

    NO

  • VDS(min):

    30V

  • Id at 25℃(max):

    9A

  • PD(max):

    2.1W

  • Vgs(th)typ(V):

    1.5V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    12.5mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    17.5mΩ

  • Qg(nC):

    20

  • Ciss:

    860

  • Crss:

    76

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更多G20N03D2供应商 更新时间2025-10-5 11:06:00