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G200P04D3A	文件：871.86 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G200P04；Package：DFN3X3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G200P04D3A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：871.86 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G200P04D3	文件：631.57 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G200P04D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：631.57 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G2129TL1U	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-6	GMT 致新科技上传：深圳市赛尔通科技有限公司	GMT
G2401CE	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP24	MNC 铭普光磁上传：深圳市喜鹊微科技有限公司	MNC
G2401CE	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP24	MNC 铭普光磁上传：深圳市喜鹊微科技有限公司	MNC

更多G200P04D3A供应商更新时间2025-12-12 14:16:00