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G200P04S2	文件：884.2 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G200P04S2；Package：SOP-8DUAL；Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G200P04S2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：884.2 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G200P04S2	文件：300 bytes Page：1 Pages	-40V P+P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G2129TL1U	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-6	GMT 致新科技上传：深圳市赛尔通科技有限公司	GMT
G2401CE	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP24	MNC 铭普光磁上传：深圳市喜鹊微科技有限公司	MNC
G2401CE	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP24	MNC 铭普光磁上传：深圳市喜鹊微科技有限公司	MNC

技术参数

Package：
SOP-8 DUAL
Type：
P+P
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
-40
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
-9
Pd(W)：
2.1
Vgs(th)max(V)：
-2.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
16
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
20
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
20
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
25
Qg(nC)：
42
Qgs(nC)：
7
Qgd(nC)：
8.6
Ciss(pF)：
2365
Crss(pF)：
208
Technology：
TRENCH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多G200P04S2供应商更新时间2025-11-28 15:07:00

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