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G1K	文件：52.56 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ♦Hightemperaturemetallurgicallybondedconstructedrectifiers ♦Glasspassivatedcavity-freejunctioninD0-204APpackage ♦Hermeticallysealedpackage ♦1.0ampereoperationatTA=100°Cwithnothermalru	GE GE Industrial Company	GE
G1K	文件：1.71047 Mbytes Page：3 Pages	Marking：G1K；Package：SOD-123FL；Surface Mount General Purpose Rectifier G1A Through G1M FEATURES Lowprofilepackage Idealforautomatedplacement Glasspassivatedchipjunction Highforwardsurgecapability MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
G1K	文件：170.21 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Rectifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
G1K	文件：556.14 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Glass Passivated Standard Rectifier	FS First Silicon Co., Ltd	FS
G1K1P06HH	文件：879.26 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G1K1P06H；Package：SOT-223；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1K1P06HHusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G1K1P06LH	文件：826.32 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G1K1P06；Package：SOT-23-3L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1K1P06LHusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G1K1P06LL	文件：796.76 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G1K1P06；Package：SOT-23-6；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1K1P06LLusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G1K1P10TE	文件：882.26 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G1K1P10；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1K1P10TEusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G1K2C10S2	文件：1.15149 Mbytes Page：10 Pages	Marking：G1K2C10D；Package：SOP-8Dual；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1K2C10S2usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G1K3N10G	文件：881.46 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G1K3N10；Package：SOT-89；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG1K3N10Gusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

详细参数

型号：
G1K
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER

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