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G180P06K	文件：631.92 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G180P06；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G180P06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：631.92 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
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更多G180P06供应商更新时间2025-8-13 11:06:00

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