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G180N06S2	文件：924.25 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G180N06；Package：SOP-8DUAL；Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G180N06S2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：924.25 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G180N06S2	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N+N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G1840SR1VK	文件：0 bytes Page：0 Pages	FCLGA1150	Intel 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	Intel

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(min)：
60V
Id at 25℃(max)：
8A
PD(max)：
2W
Vgs(th)typ(V)：
1.5V
RDS(on)(typ)(@10V)：
16.5mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
18mΩ
Qg(nC)：
58
Ciss：
2330
Crss：
100

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更多G180N06S2供应商更新时间2025-12-23 11:06:00

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