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G180N06S2中文资料60V N+N Channel TRENCH MOSFET数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

G180N06S2

功能描述

60V N+N Channel TRENCH MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-30 15:49:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :G180N06S2

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Configuration

    :N channel

  • ESD

    :NO

  • VDS(min)

    :60V

  • Id at 25℃(max)

    :8A

  • PD(max)

    :2W

  • Vgs(th)typ(V)

    :1.5V

  • RDS(on)(typ)(@10V)

    :16.5mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V)

    :18mΩ

  • Qg(nC)

    :58

  • Ciss

    :2330

  • Crss

    :100

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Goford Semiconductor
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