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G180C06Y数据手册GOFORD中文资料规格书

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厂商型号

G180C06Y

功能描述

Trench Mosfet

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 14:11:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :G180C06Y

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Configuration

    :N+P channel

  • ESD

    :NO

  • VDS

    :60V/-60V

  • Id at 25℃(max)

    :50A/-60A

  • PD(max)

    :69W/115W

  • Vgs(th)typ(V)

    :1.5/-3.0V

  • RDS(on)(typ)(@10V)

    :14mΩ/19mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V)

    :16mΩ

  • Qg(nC)

    :36/62

  • Ciss

    :2429/4471

  • Crss

    :106/234

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