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G110N06T	文件：987.51 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G110N06；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG110N06Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G110N06TA	文件：1.24523 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G110N06；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG110N06TAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06M	文件：983.22 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGT110N06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06S	文件：1.06818 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGT110N06Susesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06SH	文件：943.74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGT110N06SHusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
HLDG110N06	文件：826.53 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司	HUILIDA
HLDG110N06	文件：603.77 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HY110N06T	文件：252.38 Kbytes Page：4 Pages	55V/110AN-ChannelEnhancementModeMOSFET 55V,RDS(ON)=5.5mW@VGS=10V,ID=30A Features •LowOn-StateResistance •ExcellentGateChargexRDS(ON)Product(FOM) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforDC-DCConverter,Off-lineUPS,AutomotiveSystem,SolenoidandMotorControl •I	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IPB110N06L	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB110N06LG	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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