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G110N06T	文件：987.51 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G110N06；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G110N06T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：987.51 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G110N06TA	文件：1.24523 Mbytes Page：6 Pages	丝印：G110N06；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G110N06TA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.24523 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G110N06T	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06M	文件：983.22 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT110N06M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：983.22 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06S	文件：1.06818 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT110N06S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.06818 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06SH	文件：943.74 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT110N06SH uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：943.74 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS：
60V
Id at 25℃(max)：
110A
PD(max)：
160W
Vgs(th)typ(V)：
1.6V
RDS(on)(typ)(@10V)：
5mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
6mΩ
Qg(nC)：
122
Ciss：
4885
Crss：
323

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更多G110N06T供应商更新时间2025-10-6 11:06:00

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