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G100P04D5	文件：875.24 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G100P04；Package：DFN5X6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G100P04D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：875.24 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G100P04D5	文件：300 bytes Page：1 Pages	-40V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G11135-512DE	文件：0 bytes Page：0 Pages		HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社上传：深圳市沃泰克斯电子技术有限公司	HAMAMATSU
G121SN01液晶显示屏	文件：0 bytes Page：0 Pages		友达上传：深圳市金睿扬电子科技有限公司	友达
G1582T11U	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	GMT 致新科技上传：深圳市晨豪科技有限公司	GMT

技术参数

Package：
DFN5*6-8L
Type：
P
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
-40
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
-55
Pd(W)：
58
Vgs(th)max(V)：
-2.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
8.8
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
13
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
10
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
16
Qg(nC)：
58
Qgs(nC)：
7
Qgd(nC)：
14
Ciss(pF)：
2500
Crss(pF)：
292
Technology：
TRENCH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多G100P04D5供应商更新时间2026-1-23 14:04:00

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