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G09P02L	文件：772.2 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G09P02；Package：SOT-23-3L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G09P02L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：772.2 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G09P02L	文件：300 bytes Page：1 Pages	-20V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
EMF09P02A	文件：208.63 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐20V RDSON (MAX.) 9mΩ ID ‐62A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：208.63 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMF09P02CS	文件：216.9 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：216.9 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMF09P02V	文件：193.94 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐20V RDSON (MAX.) 9.5mΩ ID ‐20A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：193.94 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

更多G09P02L供应商更新时间2025-10-9 11:06:00