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G09P02L	文件：772.2 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G09P02；Package：SOT-23-3L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G09P02L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：772.2 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
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深圳市俊晖半导体有限公司	G0C	ADI/亚德诺	25+	原封装	8800	公司只做原装,详情请咨询	询价
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更多G09P02供应商更新时间2025-9-10 11:06:00

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