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|---|---|---|---|---|
G08N02L | 丝印：G08N02；Package：SOT-23-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G08N02L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ⚫ Power switch ⚫ DC/DC converters 文件：697.26 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
G08N02L | 20V N Channel TRENCH MOSFET | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 8A) 文件：42.08 Kbytes 页数：4 Pages | HSMC 华昕 | HSMC | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：2.42366 Mbytes 页数：5 Pages | JIANGSU 长电科技 | JIANGSU | ||
N-Channel Trench MOSFET Description The G08N02H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ⚫ Power switch ⚫ DC/DC converters 文件：556.13 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD |
技术参数
- Package：
SOT-23-3
- Type：
N
- ESD Diode：
NO
- Vds(V)：
20
- Vgs(V)：
±12
- Id(A)：
8
- Pd(W)：
1.5
- Vgs(th)max(V)：
0.9
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
10
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=2.5V：
11
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
12.3
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=2.5V：
13.7
- Qg(nC)：
22
- Qgs(nC)：
3.8
- Qgd(nC)：
4.6
- Ciss(pF)：
929
- Crss(pF)：
124
- Technology：
TRENCH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GOFORD/谷峰 |
24+ |
SOT-23-3L |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23-3L |
986966 |
国产 |
询价 | ||
GOFORD(谷峰) |
2447 |
DFN2*2 |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
GOFORD谷峰 |
23+ |
DFN2*2 |
22820 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
晶熠源 |
23+ |
SOP-8 |
3083 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
GOFORD |
21+ |
N/A |
2500 |
进口原装,优势现货 |
询价 | ||
GOFORD |
10 |
询价 | |||||
GOFORD |
24+ |
con |
10 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
GOFORD |
24+ |
con |
2500 |
优势库存,原装正品 |
询价 |
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