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G080N06K	文件：661.39 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G080N06；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG080N06Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G080N10M	文件：1.0175 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G080N10；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG080N10Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G080N10T	文件：1.04223 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G080N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG080N10Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G080P06M	文件：887.76 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G080P06；Package：TO-263；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG080P06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G080P06T	文件：923.56 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G080P06；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG080P06Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G084SN03	文件：417.32 Kbytes Page：27 Pages	8.4 Inch Color TFT-LCD ScreenDiagonal[inch]8.4(213.4mm) ActiveArea[mm]170.4(H)x127.8(V) PixelsHxV800x3(RGB)x600 PixelPitch[mm]0.213x0.213	AUOAU Optronics Corp., 友达光友达光电股份有限公司	AUO
G084SN03V1	文件：417.32 Kbytes Page：27 Pages	8.4 Inch Color TFT-LCD ScreenDiagonal[inch]8.4(213.4mm) ActiveArea[mm]170.4(H)x127.8(V) PixelsHxV800x3(RGB)x600 PixelPitch[mm]0.213x0.213	AUOAU Optronics Corp., 友达光友达光电股份有限公司	AUO
G085C03D32	文件：1.11033 Mbytes Page：10 Pages	Marking：G085C03D；Package：DFN3X3-8LDual；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG085C03D32usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G085N03K	文件：661.26 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G085N03；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG085N03Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G085N03KA	文件：995.43 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G085N03；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG085N03KAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

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