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G080N06K	文件：661.39 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G080N06；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G080N06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：661.39 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G080N06K	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
IPB080N06NG	文件：446.46 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：446.46 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB080N06NG	文件：421.18 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications 文件：421.18 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP080N06NG	文件：421.18 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications 文件：421.18 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多G080N06K供应商更新时间2025-12-2 11:06:00