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G06NP06S2	文件：1.54581 Mbytes Page：10 Pages	丝印：G06NP06；Package：SOP-8；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description This Product uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. Application  Power switch DC/DC converters 文件：1.54581 Mbytes 页数：10 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G06NP06S2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
N+P channel
ESD：
NO
VDS(min)：
60/-60V
Id at 25℃(max)：
6A/-6A
PD(max)：
2W/2.5W
Vgs(th)typ(V)：
1.5V/-2.5V
RDS(on)(typ)(@10V)：
30mΩ/37mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
33mΩ/
Qg(nC)：
22/25
Ciss：
1350/2610
Crss：
51/111

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	G06NP06S2		24+	N/A	82000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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更多G06NP06S2供应商更新时间2025-10-9 11:06:00

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