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G05N06S2

丝印:05N06;Package:SOP-8Dual;Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G05N06S2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch lDC/DC converters

文件:928.91 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

G05N06S2

Trench Mosfet

GOFORD

谷峰半导体

技术参数

  • Configuration:

    N+N channel

  • ESD:

    NO

  • VDS:

    60V

  • Id at 25℃(max):

    5A

  • PD(max):

    3.1W

  • Vgs(th)typ(V):

    1.6V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    28mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    31mΩ

  • Qg(nC):

    26

  • Ciss:

    1374

  • Crss:

    50

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更多G05N06S2供应商 更新时间2025-10-11 16:47:00