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G050N06LL	文件：764.54 Kbytes Page：6 Pages	丝印：05N06；Package：SOT-23-6；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G050N06LL uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：764.54 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G050N06LLA	文件：900.46 Kbytes Page：6 Pages	丝印：05N06；Package：SOT-23-6；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G050N06LLA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：900.46 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G050N06LL	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
IPB050N06L	文件：451.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：451.32 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB050N06LG	文件：451.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：451.32 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB050N06N	文件：451.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：451.32 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

更多G050N06LL供应商更新时间2025-12-15 11:06:00