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FZT953	文件：124.63 Kbytes Page：5 Pages	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS FEATURES * 5 Amps continuous current , up to 15 Amps peak current * Very low saturation voltages * Excellent gain characteristics specified up to 10 Amps * Ptot = 3 watts * FZT951 exhibts extremely low equivalent on resistance; RCE(sat) 55mΩ at 4A 文件：124.63 Kbytes 页数：5 Pages	ZETEX	ZETEX
FZT953	文件：110.03 Kbytes Page：5 Pages	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT Features • BVCEO > -60V • IC = -5A High Continuous Collector Current • ICM = -15A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：110.03 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT953	文件：110.03 Kbytes Page：5 Pages	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS Features • BVCEO > -60V • IC = -5A High Continuous Collector Current • ICM = -15A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：110.03 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT953	文件：38.12 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Planar High Current Transistors Features ● 5 Amps continuous current , up to 15 Amps peak current. ● Very low saturation voltages. ● Excellent gain characteristics specified up to 10 Amps. ● Ptot = 3 watts. 文件：38.12 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
FZT953	文件：533.03 Kbytes Page：7 Pages	100V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：533.03 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT953	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Transistors	JGSEMI 金锆半导体	JGSEMI
FZT953	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors	Willas 威伦电子	Willas
FZT953	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Transistors	XW 芯微半导体	XW
FZT953TA	文件：110.03 Kbytes Page：5 Pages	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS Features • BVCEO > -60V • IC = -5A High Continuous Collector Current • ICM = -15A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：110.03 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT953_15	文件：315.54 Kbytes Page：7 Pages	100V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 文件：315.54 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Yes
Product Type：
PNP
IC (A)：
5 A
ICM (A)：
10 A
PD (W)：
3 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.01 A
hFE(Min 2)：
50
hFE(@ IC2)：
5 A
VCE (SAT)Max (mV)：
50 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
3/375
VCE (SAT)(Max.2)：
220 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
2/200
fT (MHz)：
125 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT223

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