FZT857Q中文资料NPN, 300V, 3.5A, SOT223数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
FZT857Q |
| 参数属性 | FZT857Q 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223 |
| 功能描述 | NPN, 300V, 3.5A, SOT223 |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 17:22:00 |
| 人工找货 | FZT857Q价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FZT857Q规格书详情
简介
FZT857Q属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FZT857Q晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：FZT857Q
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance(Only Automotive supports PPAP)
：Automotive
- Polarity
：NPN
- IC (A)
：3.5
- ICM (A)
：5
- PD (W)
：3
- hFE (Min)
：100
- hFE (@ IC) (A)
：0.01
- hFE(Min 2)
：15
- hFE (@ IC2) (A)
：2
- VCE(sat) Max (mV)
：100
- VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)
：0.5/100
- VCE(sat) (Max.2) (mV)
：230
- VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)
：2/200
- fT (MHz)
：80
- RCE(sat) (mΩ)
：-
- Packages
：SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
20+ |
SOT-223-4 |
69052 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ZETZX |
11+ |
SOT-223PBF |
6000 |
绝对原装自己现货 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
21+ |
SOT-223-4 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
ZETZX |
18+ |
SOT223 |
85600 |
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询价 | ||
Diodes(美台) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ZETEX |
24+ |
SOT-223 |
6230 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ZETEX |
25+ |
SOT223 |
2987 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-223 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
21+ |
SOT-223 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
