FZT857QTA_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-龙鼎威

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1000+	¥5.15475

厂家型号：
FZT857QTA
制造商：
PAM/龙鼎威
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个
封装外壳：
TO-261-4，TO-261AA
包装：
散装
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-22 14:00:00

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原厂料号：FZT857QTA品牌：Diodes Incorporated

资料说明：PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223

FZT857QTA是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商PAM/龙鼎威生产封装TO-261-4，TO-261AA的FZT857QTA晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
fzt857qta
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
PAM【龙鼎威】详情
厂商全称：
Diodes Incorporated
资料说明：
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223

产品属性

类型
描述
产品编号：
FZT857QTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
345mV @ 600mA，3.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，10V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-3
描述：
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223

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FZT857QTA

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