FZT853中文资料NPN, 100V, 6A, SOT223数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
FZT853 |
| 参数属性 | FZT853 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 |
| 功能描述 | NPN, 100V, 6A, SOT223 |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 17:30:00 |
| 人工找货 | FZT853价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FZT853规格书详情
简介
FZT853属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FZT853晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：FZT853
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：On Request*
- Product Type
：NPN
- IC (A)
：6 A
- ICM (A)
：10 A
- PD (W)
：3 W
- hFE (min)
：100 Min
- hFE(@ IC)
：0.01 A
- hFE(Min 2)
：50
- hFE(@ IC2)
：4 A
- VCE (SAT)Max (mV)
：50 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：N/A
- VCE (SAT)(Max.2)
：150 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)
：2/100
- fT (MHz)
：130 MHz
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
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询价 | ||
DIODES |
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SOT-223-4 |
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ZETEX |
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SOT223 |
66800 |
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22+ |
SOT-223-4 |
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PHI |
23+ |
DIP |
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ZETEX |
20+ |
SOT223 |
6600 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
2022+ |
SOT-223-4 |
8000 |
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Zetex Semiconductors |
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ZETEX |
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SOT-223 |
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询价 | ||
ZETEX |
24+ |
SOT-223 |
1450 |
只做原装正品 |
询价 |
