FZT753中文资料PNP, 100V, 2A, SOT223数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
FZT753 |
| 参数属性 | FZT753 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T |
| 功能描述 | PNP, 100V, 2A, SOT223 |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 17:30:00 |
| 人工找货 | FZT753价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FZT753规格书详情
简介
FZT753属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FZT753晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：FZT753
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：Yes
- Product Type
：PNP
- IC (A)
：2 A
- ICM (A)
：6 A
- PD (W)
：2 W
- hFE (min)
：100 Min
- hFE(@ IC)
：0.5 A
- hFE(Min 2)
：55
- hFE(@ IC2)
：1 A
- VCE (SAT)Max (mV)
：300 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：0.1/10
- VCE (SAT)(Max.2)
：500 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)
：2/200
- fT (MHz)
：100 MHz
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
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询价 | ||
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20+ |
SMD |
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DIODES/美台 |
22+ |
SOT-223-4 |
12245 |
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询价 | ||
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SOT-223 |
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DIODES |
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SMD |
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