FZT749中文资料FZT749: PNP Low Saturation Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FZT749 |
| 参数属性 | FZT749 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 25V 3A SOT223-4 |
| 功能描述 | FZT749: PNP Low Saturation Transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 18:35:00 |
| 人工找货 | FZT749价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FZT749规格书详情
描述 Description
这些器件设计为具有高电流增益和低饱和电压，连续集电极电流最高可达3A。
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
FZT749属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FZT749晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：FZT749
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： PNP Low Saturation Transistor
- Polarity
：PNP
- Type
：Low-Saturation Transistor
- VCE(sat) Max (V)
：Condition: IC = -3A
- IC Cont. (A)
：3
- VCEO Min (V)
：25
- VCBO (V)
：35
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：Condition: IC = -1A
- VBE(on) (V)
：Condition: IC = -1A
- hFE Min
：Condition: IC = -1A
- hFE Max
：Condition: IC = -1A
- fT Min (MHz)
：Condition: IC = -100mA
- PTM Max (W)
：2
- Package Type
：SOT-223-4 / TO-261-4
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