首页>FZT851Q>规格书详情

FZT851Q中文资料NPN, 60V, 6A, SOT223数据手册Diodes规格书

PDF无图
厂商型号

FZT851Q

参数属性

FZT851Q 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

功能描述

NPN, 60V, 6A, SOT223
TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-26 16:19:00

人工找货

FZT851Q价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FZT851Q规格书详情

简介

FZT851Q属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的FZT851Q晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FZT851Q

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance(Only Automotive supports PPAP)

    :Automotive

  • Polarity

    :NPN

  • IC (A)

    :6

  • ICM (A)

    :20

  • PD (W)

    :3

  • hFE (Min)

    :100

  • hFE (@ IC) (A)

    :0.01

  • hFE(Min 2)

    :75

  • hFE (@ IC2) (A)

    :5

  • VCE(sat) Max (mV)

    :100

  • VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)

    :1/50

  • VCE(sat) (Max.2) (mV)

    :170

  • VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :2/50

  • fT (MHz)

    :130

  • RCE(sat) (mΩ)

    :-

  • Packages

    :SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
24+
N/A
500000
美台原厂超低价支持
询价
23+
原厂封装
11888
专做原装正品,假一罚百!
询价
ZETEX
25+
SOT223
18000
原厂直接发货进口原装
询价
DIODES
25+
SOT89
9470
原厂原装,价格优势
询价
DIODES/美台
24+
NA
30000
房间原装现货特价热卖,有单详谈
询价
DIODES/美台
23+
SOT-223-4
12730
原装正品代理渠道价格优势
询价
ZETEX
17+
SOT-223
6200
询价
Diodes Incorporated
25+
TO-261-4 TO-261AA
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
ZETEX
24+
SOT-223
4820
只做原装正品
询价
ZETEX
23+
SOT223
5000
原装正品,假一罚十
询价