FZT857中文资料NPN, 300V, 3.5A, SOT223数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
FZT857 |
| 参数属性 | FZT857 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 300V 3.5A SOT223-3 |
| 功能描述 | NPN, 300V, 3.5A, SOT223 |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 17:22:00 |
| 人工找货 | FZT857价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FZT857规格书详情
简介
FZT857属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FZT857晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：FZT857
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：Yes
- Product Type
：NPN
- IC (A)
：3.5 A
- ICM (A)
：5 A
- PD (W)
：3 W
- hFE (min)
：100 Min
- hFE(@ IC)
：0.5 A
- hFE(Min 2)
：15
- hFE(@ IC2)
：2 A
- VCE (SAT)Max (mV)
：100 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：N/A
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)
：2/200
- fT (MHz)
：80
- VCE (SAT)(Max.2)
：230 mV
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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