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FZT796	文件：78.54 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR FEATURES * 200 Volt VCEO * Gain of 250 at IC=0.3 Amps * Very low saturation voltage APPLICATIONS * Battery powered circuits 文件：78.54 Kbytes 页数：2 Pages	ZETEX	ZETEX
FZT796	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR	Diodes 美台半导体	Diodes
FZT796A	文件：78.54 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR FEATURES * 200 Volt VCEO * Gain of 250 at IC=0.3 Amps * Very low saturation voltage APPLICATIONS * Battery powered circuits 文件：78.54 Kbytes 页数：2 Pages	ZETEX	ZETEX
FZT796A	文件：90.48 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM Features • BVCEO > -200V • BVCBO > -200V • IC = -500m Continuous Current • hFE > 250 for High Gain @ -0.3A • Very Low VCE(sat) • Complementary NPN Type: FZT696B • Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q10 文件：90.48 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT796A_15	文件：90.48 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR 文件：90.48 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT796A_16	文件：801.19 Kbytes Page：7 Pages	200V PNP MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR 文件：801.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT796A	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 200V, 0.5A, SOT223	Diodes 美台半导体	Diodes
FZT796ATA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 200V 0.5A SOT223-3	DIODES 美台半导体	DIODES
FZT796ATC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 200V 0.5A SOT223-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Product Type：
PNP
IC (A)：
0.5 A
ICM (A)：
1 A
PD (W)：
2 W
hFE (min)：
300 Min
hFE(@ IC)：
0.1 A
hFE(Min 2)：
100
hFE(@ IC2)：
0.4 A
VCE (SAT)Max (mV)：
300 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
N/A
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
0.2/20
fT (MHz)：
100
VCE (SAT)(Max.2)：
300 mV
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT223

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