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FZT788B	文件：81.24 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR FEATURES Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)93mΩat3A Gainof300atIC=2AmpsandVerylowsaturationvoltage APPLICATIONS *Batterypoweredcircuits	Zetex Zetex Semiconductors
FZT788B	文件：38.13 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor Features ●Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)93mÙat3A. ●Gainof300atIC=2AmpsandVerylowsaturationvoltage.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
FZT788B	文件：93.27 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM Features •BVCEO>-15V •BVCBO>-15V •IC=-3AHighContinuousCurrent •hFE>300@-2AandLowSaturationVoltage •ExtremelyLowEquivalentOn-ResistanceRCE(sat)93mΩat-3A •ComplementaryNPNType:FZT688B •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimony	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FZT788BTA	文件：93.27 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR Features •BVCEO>-15V •BVCBO>-15V •IC=-3AHighContinuousCurrent •hFE>300@-2AandLowSaturationVoltage •ExtremelyLowEquivalentOn-ResistanceRCE(sat)93mΩat-3A •ComplementaryNPNType:FZT688B •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimony	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FZT788B_15	文件：93.27 Kbytes Page：2 Pages	SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FZT788B_16	文件：950.85 Kbytes Page：7 Pages	15V PNP MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FZT788BTA	文件：950.85 Kbytes Page：7 Pages	15V PNP MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FZT788BTC	文件：950.85 Kbytes Page：7 Pages	15V PNP MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FZT788BTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 15V 3A SOT223-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威
FZT788BTC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 15V 3A SOT223-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威
ADG788	文件：144.7 Kbytes Page：12 Pages	2.5ohm,1.8Vto5.5V,-2.5VTriple/QuadSPDTSwitchesinChipScalePackages GENERALDESCRIPTION TheADG786andADG788arelowvoltage,CMOSdevicescomprisingthreeindependentlyselectableSPDT(singlepole,doublethrow)switchesandfourindependentlyselectableSPDTswitchesrespectively. Lowpowerconsumptionandoperatingsupplyrangeof1.8Vto5.5Vanddual±2	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG788BCP	文件：144.7 Kbytes Page：12 Pages	2.5ohm,1.8Vto5.5V,-2.5VTriple/QuadSPDTSwitchesinChipScalePackages GENERALDESCRIPTION TheADG786andADG788arelowvoltage,CMOSdevicescomprisingthreeindependentlyselectableSPDT(singlepole,doublethrow)switchesandfourindependentlyselectableSPDTswitchesrespectively. Lowpowerconsumptionandoperatingsupplyrangeof1.8Vto5.5Vanddual±2	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG788BCPZ	文件：175.64 Kbytes Page：11 Pages	2.5ohm,1.8Vto5.5V,2.5V,-2.5VTriple/QuadSPDTSwitchesinChipScalePackages GENERALDESCRIPTION TheADG786andADG788arelowvoltage,CMOSdevicescomprisingthreeindependentlyselectableSPDT(singlepole,doublethrow)switchesandfourindependentlyselectableSPDTswitchesrespectively. Lowpowerconsumptionandoperatingsupplyrangeof1.8Vto5.5Vanddual±2	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG788BCPZ-REEL	文件：175.64 Kbytes Page：11 Pages	2.5ohm,1.8Vto5.5V,2.5V,-2.5VTriple/QuadSPDTSwitchesinChipScalePackages GENERALDESCRIPTION TheADG786andADG788arelowvoltage,CMOSdevicescomprisingthreeindependentlyselectableSPDT(singlepole,doublethrow)switchesandfourindependentlyselectableSPDTswitchesrespectively. Lowpowerconsumptionandoperatingsupplyrangeof1.8Vto5.5Vanddual±2	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AIMB-788	文件：593.32 Kbytes Page：2 Pages	LGA170012thGenerationIntel®Core™i9/i7/i5/i3ATXMotherboardwithDP/HDMI/VGA,DDR4,USB3.2,M.2 Features Intel®12thgenerationCore™i9/i7/i5/i3&Pentium®/Celeron®processorwith Q670Echipset FourDIMMsocketsupto128GBDDR43200 TripledisplayDP/HDMI/VGAanddualGbELAN M.2,SATARAID0,1,5,10,USB3.2Gen2 SupportsIntelvPro,AMT&TPMtechnologies Advantech	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华研华科技
BD788	文件：131.49 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor COMPLEMENTARYPLASTICSILICONANNULAR*POWERTRANSISTORS 4AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON45,6OVOLTS15WATTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BD788	文件：148.19 Kbytes Page：6 Pages	POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforlowerpoweraudioamplifierandlowcurrent,high−speedswitchingapplications. Features •LowCollector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(sus)60Vdc(Min) •HighCurrent−Gain−BandwidthProductfT=	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BD788	文件：148.19 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors BD787->NPN BD788->PNP 4AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS15WATTS ...designedforlowerpoweraudioamplifierandlowcurrent,high–speedswitching applications. •LowCollector–EmitterSustainingVoltageVCEO(sus)60Vdc(Min)—BD787,BD78	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BD788	文件：78.93 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BD788	文件：249.53 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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详细参数

型号：
FZT788B
制造商：
Diodes Incorporated
功能描述：
TRANSISTOR PNP SOT-223
功能描述：
TRANSISTOR, PNP, SOT-223
制造商：
DIODES
功能描述：
TRANSISTOR, PNP, SOT-223, Transistor
Polarity：
PNP, Collector Emitter Voltage V(b
功能描述：
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR, PNP, -15V, Transistor
Polarity：
PNP, Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
15V, Transition Frequency
ft：
100MHz, Power Dissipation
Pd：
2W, DC Collector
Current：
-3A, DC Current Gain
hFE：
500, No. of
Pins：
4 , RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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