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FX50SMJ-03	文件：57.5 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –30V • rDS (ON) (MAX) 35mΩ • ID –50A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) 55ns 文件：57.5 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
FX50SMJ-03	文件：62.85 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –30V • rDS (ON) (MAX) 35mΩ • ID –50A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) 55ns 文件：62.85 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
FX50SMJ-03	文件：210.32 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 30 V • rDS(ON) (max) : 35 mΩ • ID : – 50 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 55 ns Applications Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：210.32 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX50SMJ-03-A8	文件：210.32 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 30 V • rDS(ON) (max) : 35 mΩ • ID : – 50 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 55 ns Applications Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：210.32 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX50SMJ-06	文件：173.69 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : –60 V • rDS(ON) (max) : 18.9 mΩ • ID : –50 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 70 ns 文件：173.69 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX50SMJ-06	文件：63.34 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –60V • rDS (ON) (MAX) 18.9mΩ • ID –50A • Integrated Fast Recovery Diode 文件：63.34 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
FX50SMJ-06	文件：57.97 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –60V • rDS (ON) (MAX) 18.9mΩ • ID –50A • Integrated Fast Recovery Diode 文件：57.97 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
FX50SMJ-06-A8	文件：173.69 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : –60 V • rDS(ON) (max) : 18.9 mΩ • ID : –50 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 70 ns 文件：173.69 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX50SMJ-2	文件：173.75 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : –100 V • rDS(ON) (max) : 50 mΩ • ID : –50 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：173.75 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX50SMJ-2	文件：63.42 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS –100V • rDS (ON) (MAX) 50mΩ • ID –50A • Integrated Fast Recovery Diode 文件：63.42 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX

技术参数

封装类型：
TO3P*
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-100
ID (A)：
-50
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
0.05
Ciss (pF) 典型值：
11130
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	FX50SMJ-2	MIT	24+	TO-3P	630		询价
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更多FX50SMJ供应商更新时间2026-10-26 16:30:00

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