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FX30KMJ-03	文件：50.19 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................... –30V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 61mΩ • ID .................................................................... –30A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ......... 文件：50.19 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
FX30KMJ-03	文件：55.48 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................... –30V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 61mΩ • ID .................................................................... –30A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ......... 文件：55.48 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
FX30KMJ-03	文件：209.23 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 30 V • rDS(ON) (max) : 61 mΩ • ID : – 30 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns 文件：209.23 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX30KMJ-03-A8	文件：209.23 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 30 V • rDS(ON) (max) : 61 mΩ • ID : – 30 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns 文件：209.23 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX30KMJ-06	文件：56.3 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................... –60V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 54mΩ • ID .................................................................... –30A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ......... 文件：56.3 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
FX30KMJ-06	文件：50.95 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................... –60V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 54mΩ • ID .................................................................... –30A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ......... 文件：50.95 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
FX30KMJ-06	文件：174.24 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : –60 V • rDS(ON) (max) : 54 mΩ • ID : –30 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 55 ns • Viso : 2000 V 文件：174.24 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX30KMJ-06-A8	文件：174.24 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : –60 V • rDS(ON) (max) : 54 mΩ • ID : –30 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 55 ns • Viso : 2000 V 文件：174.24 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX30KMJ-2	文件：174.34 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : –100 V • rDS(ON) (max) : 0.143 Ω • ID : –30 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns • Viso : 2000 V 文件：174.34 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX30KMJ-2	文件：50.89 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................. –100V • rDS (ON) (MAX) .............................................. 0.143Ω • ID .................................................................... –30A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) .........1 文件：50.89 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi

技术参数

封装类型：
TO220FN
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-150
ID (A)：
-30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
0.1
Ciss (pF) 典型值：
11430
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	FX30KMJ-3	RENESAS	19+	TO-220F	22800		询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	FX30KMJ-3	RENESAS	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多FX30KMJ供应商更新时间2025-12-22 15:09:00

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