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FX30KMJ-03	文件：50.19 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE •4VDRIVE •VDSS...............................................................–30V •rDS(ON)(MAX)................................................61mΩ •ID....................................................................–30A •IntegratedFastRecoveryDiode(TYP.).........	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
FX30KMJ-03	文件：209.23 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features •Drivevoltage:4V •VDSS:–30V •rDS(ON)(max):61mΩ •ID:–30A •RecoveryTimeoftheIntegratedFastRecoveryDiode(TYP.):50ns	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
FX30KMJ-03	文件：55.48 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE •4VDRIVE •VDSS...............................................................–30V •rDS(ON)(MAX)................................................61mΩ •ID....................................................................–30A •IntegratedFastRecoveryDiode(TYP.).........	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
FX30KMJ-03-A8	文件：209.23 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features •Drivevoltage:4V •VDSS:–30V •rDS(ON)(max):61mΩ •ID:–30A •RecoveryTimeoftheIntegratedFastRecoveryDiode(TYP.):50ns	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
FX30KMJ-06	文件：50.95 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE •4VDRIVE •VDSS...............................................................–60V •rDS(ON)(MAX)................................................54mΩ •ID....................................................................–30A •IntegratedFastRecoveryDiode(TYP.).........	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
FX30KMJ-06	文件：174.24 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Features •Drivevoltage:4V •VDSS:–60V •rDS(ON)(max):54mΩ •ID:–30A •IntegratedFastRecoveryDiode(TYP.):55ns •Viso:2000V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
FX30KMJ-06	文件：56.3 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE •4VDRIVE •VDSS...............................................................–60V •rDS(ON)(MAX)................................................54mΩ •ID....................................................................–30A •IntegratedFastRecoveryDiode(TYP.).........	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
FX30KMJ-06-A8	文件：174.24 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Features •Drivevoltage:4V •VDSS:–60V •rDS(ON)(max):54mΩ •ID:–30A •IntegratedFastRecoveryDiode(TYP.):55ns •Viso:2000V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
FX30KMJ-2	文件：50.89 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE •4VDRIVE •VDSS.............................................................–100V •rDS(ON)(MAX)..............................................0.143Ω •ID....................................................................–30A •IntegratedFastRecoveryDiode(TYP.).........1	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
FX30KMJ-2	文件：174.34 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features •Drivevoltage:4V •VDSS:–100V •rDS(ON)(max):0.143Ω •ID:–30A •IntegratedFastRecoveryDiode(TYP.):100ns •Viso:2000V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO220FN
Nch/Pch：
PNP
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
30
ID (A)：
30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
0.061
Ciss (pF) 典型值：
2460
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多FX30KMJ供应商更新时间2025-7-29 14:01:00

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