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FX30KMJ-03	文件：50.19 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................... –30V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 61mΩ • ID .................................................................... –30A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ......... 文件：50.19 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
FX30KMJ-03	文件：55.48 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................... –30V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 61mΩ • ID .................................................................... –30A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ......... 文件：55.48 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
FX30KMJ-03	文件：209.23 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 30 V • rDS(ON) (max) : 61 mΩ • ID : – 30 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns 文件：209.23 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX30KMJ-03	文件：85.1 Kbytes Page：5 Pages	MITSUBISHI Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE 文件：85.1 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX30KMJ-03	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
FX30KMJ-03-A8	文件：209.23 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 30 V • rDS(ON) (max) : 61 mΩ • ID : – 30 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns 文件：209.23 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX30KMJ-03_03	文件：85.1 Kbytes Page：5 Pages	MITSUBISHI Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE 文件：85.1 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX30KMJ-03_15	文件：110.02 Kbytes Page：7 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE 文件：110.02 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO220FN
Nch/Pch：
PNP
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
30
ID (A)：
30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
0.061
Ciss (pF) 典型值：
2460
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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