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FTP09N20R	文件：300 bytes Page：1 Pages	HVMOS	IPS 华润芯	IPS
GI09N20	文件：229.97 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：229.97 Kbytes 页数：4 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
GJ09N20	文件：230.72 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The GJ09N20 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications at power dissipation levels to approx 文件：230.72 Kbytes 页数：4 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
MCU09N20	文件：369.85 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：369.85 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC

技术参数

VDS (min)(V)：
200
ID(A)：
9
RDS(on)(typ)(@10V)：
0.24
RDS(on)(max)(@10V)：
0.28
Qg(typ)(nC)：
12.6
Ciss(typ)(pF)：
560

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FTP09N20R供应商更新时间2024-4-11 18:15:00

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