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MCU09N20	文件：369.85 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：369.85 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
MCU09N20	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETS	MCC 美微科	MCC
MCU09N20A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETS	MCC 美微科	MCC
WSF09N20	文件：1.7696 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.7696 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

技术参数

Polarity：
N-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
200
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±30
Drain Current IDMAX (A)：
9.0
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
0.25
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
509
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
1.0
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
3.0
Package Qty：
Tape&Reel
FIT：
30; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MCU09N20供应商更新时间2025-10-4 12:00:00

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