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FTP08N06A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement InPower Product Lines 文件：54.71 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FTP08N06A	文件：300 bytes Page：1 Pages	LVMOS	IPS 华润芯	IPS
FTP08N06NE	文件：300 bytes Page：1 Pages	LVMOS	IPS 华润芯	IPS
G08N06S	文件：1.06459 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G08N06S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.06459 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

VDS (min)(V)：
55
ID(A)：
120
RDS(on)(typ)(@10V)：
7.4m
RDS(on)(max)(@10V)：
8m
Qg(typ)(nC)：
76
Ciss(typ)(pF)：
4440

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更多FTP08N06供应商更新时间2026-10-31 19:15:00

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