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FSD052DS	文件：699.47 Kbytes Page：5 Pages	丝印：P4；Package：SOD-123；Standard ESD Protection Device 文件：699.47 Kbytes 页数：5 Pages	FUTUREWAFER	FUTUREWAFER
FSD052DS	文件：300 bytes Page：1 Pages	ESD Device	FutureWafer 未来芯	FutureWafer
TL052ID	文件：1.02263 Mbytes Page：65 Pages	ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.02263 Mbytes 页数：65 Pages	TI 德州仪器	TI
TL052MFK	文件：1.02263 Mbytes Page：65 Pages	ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.02263 Mbytes 页数：65 Pages	TI 德州仪器	TI
TL052Y	文件：1.02263 Mbytes Page：65 Pages	ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：1.02263 Mbytes 页数：65 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Breakdown Voltage：
6.2 V.Min
Peak Pulse Current：
13 A
Junction Capacitance：
90 pF.Max
Configure：
Uni-Dir
Peak Pulse Power：
170 W
ESD Level：
25 KV
Package：
SOD-123

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市唛芯电子有限公司	FSD05C	FUTUREWAFER	2026+PB	SOD-323	90000	全新Cnnpchip	询价
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深圳市信科微科技有限公司	FSD0AA010AA	MULTIPRO	26+	QFP	6800	原厂渠道可含税出货，支持一站式配单	询价
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更多FSD052DS供应商更新时间2026-11-1 14:01:00

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