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FSB660	文件：223.45 Kbytes Page：7 Pages	PNP Low Saturation Transistor PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. 文件：223.45 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FSB660	文件：54.84 Kbytes Page：4 Pages	PNP Low Saturation Transistor 文件：54.84 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FSB660	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Low Saturation Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FSB660	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 2A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FSB660A	文件：223.45 Kbytes Page：7 Pages	PNP Low Saturation Transistor PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. 文件：223.45 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FSB660A	文件：279.75 Kbytes Page：7 Pages	丝印：660A；Package：SSOT-3L；PNP Low Saturation Transistor Description These devices are designed with high-current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2 A continuous. 文件：279.75 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FSB660_01	文件：54.84 Kbytes Page：4 Pages	PNP Low Saturation Transistor 文件：54.84 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FSB660A	文件：54.84 Kbytes Page：4 Pages	PNP Low Saturation Transistor 文件：54.84 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FSB660A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 2A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
FSB660
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
75MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 60V 2A SOT23-3

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更多FSB660供应商更新时间2026-6-2 9:06:00

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