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FSB660A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

FSB660A
厂商型号

FSB660A

参数属性

FSB660A 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 2A SOT23-3

功能描述

PNP Low Saturation Transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

223.45 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名称

仙童半导体 飞兆/仙童半导体公司

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FSB660A规格书详情

PNP Low Saturation Transistor

These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous.

产品属性

  • 产品编号:

    FSB660A

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    75MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 2A SOT23-3

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