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FSB50325TD

Smart Power Module (SPM짰)

文件:902.85 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FSB50325AS

Motion SPM® 5 系列

FSB50325A/AT/AS 是一款先进的 Motion SPM® 5 模块,为交流感应、无刷直流电机和 PMSM 电机提供全功能、高性能变频输出级。 这些模块综合优化了内置 MOSFET(FRFET® 技术)的栅极驱动以最小化电磁干扰和能量损耗,同时也提供多重模组保护特性,包括欠压闭锁和热量监测。 内置高速 HVIC 仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压、高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部 MOSFET。 独立开源 MOSFET 引脚适用于各相位,以支持最广泛的控制算法。 •UL 认证号 E209204 (UL1557)\n•250 V RDS(on) = 1.7 Ω(最大值)FRFET MOSFET 三相逆变器,带有栅极驱动器和保护功能\n•内置自举二极管能够简化 PCB 布局\n•低侧 MOSFET 的独立开源引脚用于三相电流感测\n•高电平有效接口,适用于 3.3 / 5 V 逻辑、施密特触发脉冲输入\n•针对低电磁干扰进行优化\n•HVIC 内嵌温度感测功能,用于监控温度\n•HVIC 可实现栅极驱动和欠压保护\n•绝缘等级: 1500 Vrms/分\n•湿度敏感等级 (MSL) 3 - FSB50325AS;

ONSEMI

安森美半导体

FSB50325AT

Motion SPM® 5 系列

FSB50325AT 是先进 Motion SPM® 5系列产品,基于快速恢复 MOSFET(FRFET®)技术,用作小功率电机驱动应用(如风扇和泵)的紧凑型逆变器解决方案。 FSB50325AT 包含六个 FRFET MOSFET 产品、三个具有温度感测功能的半桥栅极驱动器 HVIC 及三个自举二极管,在一个紧凑型封装中完全隔离并进行优化,以实现热性能。 FSB50325AT 通过优化开关速度和减少寄生电感具有低电磁干扰(EMI)特性。 由于使用 MOSFET 作为电源开关,FSB50325AT 比 IGBT 功率模块具有强得多的耐用性和更大的安全工作区 (SOA)。 FSB50325A 是 •250V RDS(on)=1.7Ω(最大值) FRFET®MOSFET 三相逆变器,包括HVIC\n•下桥 MOSFET 的三个独立开放式发射极引脚用于三支路电流感测\n•HVIC可实现栅极驱动和欠压保护\n•高电平有效接口,可用于 3.3V/5V 逻辑电平\n•针对低电磁干扰进行优化\n•1500Vrms/1min 的额定隔离电压。\n•内置于HVIC的温度感测\n•封装中的嵌入式自举二极管;

ONSEMI

安森美半导体

FSB50325S

IC SMART POWER MOD 1.5A SPM23-BA

ONSEMI

安森美半导体

FSB50325AS

Package:23-PowerSMD 模块,鸥翼,21 引线;包装:管件 类别:分立半导体产品 功率驱动器模块 描述:MODULE SPM 250V 1.7A SPM5P

ONSEMI

安森美半导体

FSB50325AT

Package:23-PowerDIP 模块(0.748",19.00mm);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 功率驱动器模块 描述:MODULE SPM 250V 1.7A 23PWRDIP

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    FSB50325

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 功率驱动器模块

  • 系列:

    SPM®

  • 包装:

    管件

  • 类型:

    MOSFET

  • 配置:

    3 相

  • 电压 - 隔离:

    1500Vrms

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    23-PowerDIP 模块(0.551",14.00mm)

  • 描述:

    MODULE SPM 250V 3A SPM23-AA

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更多FSB50325供应商 更新时间2026-4-17 10:12:00