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FSB50250AT数据手册分立半导体产品的功率驱动器模块规格书PDF

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厂商型号

FSB50250AT

参数属性

FSB50250AT 封装/外壳为23-PowerDIP 模块(0.551",14.00mm);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的功率驱动器模块;产品描述:MODULE SPM 500V 1.2A 23PWRDIP

功能描述

智能功率模块 (IPM),运动控制
MODULE SPM 500V 1.2A 23PWRDIP

封装外壳

23-PowerDIP 模块(0.551",14.00mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 17:10:00

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FSB50250AT规格书详情

描述 Description

FSB50250AT 是先进 Motion SPM® 5 系列产品,基于快速恢复 MOSFET(FRFET®)技术,用作小功率电机驱动应用(如风扇和泵)的紧凑型逆变器解决方案。 FSB50250AT包含六个FRFET MOSFET产品、三个具有温度感测功能的半桥栅极驱动器HVIC及三个自举二极管,在一个紧凑型封装中完全隔离并进行优化,以实现热性能。 FSB50250AT通过优化开关速度和减少寄生电感具有低电磁干扰(EMI)特性。 由于使用MOSFET作为电源开关,FSB50250AT比IGBT功率模块具有强得多的耐用性和更大的安全工作区(SOA)。 FSB50250AT 是用于装配空间受到限制的紧凑型可靠逆变器设计的正确解决方案。

特性 Features

•500V RDS(on)=3.8Ω (最大值) FRFET® MOSFET 三相逆变器,包括HVIC
•下桥 MOSFET 的三个独立开放式发射极引脚用于三支路电流感测
•HVIC可实现栅极驱动和欠压保护
•高电平有效接口,可用于 3.3V/5V 逻辑电平
•针对低电磁干扰进行优化
•1500Vrms/1min 的额定隔离电压。
•内置于HVIC的温度感测
•封装中的嵌入式自举二极管

应用 Application

• 运动控制-家用设备/工业电机

简介

FSB50250AT属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由制造生产的FSB50250AT功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件(通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上,后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FSB50250AT

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Family

    :SPM® 5 Series

  • Type

    :Inverter

  • Substrate

    :Full Package

  • Input Logic

    :Active High

  • Rated Voltage Min (V)

    :500

  • IO @ 25 °C Min (A)

    :1.2

  • VCE(sat) @ 25 °C Typ (V)

    :-

  • RDS(on) (Ω)

    :2.5

  • Emitter Configuration

    :3 source pins

  • Shutdown Pin

    :No

  • Mounting Type

    :DIP

  • Package Type

    :DIP-023

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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